액티브 프런트엔드 고조파 필터
Active harmonic filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). APF 제품은 고조파를 동적으로 보상하는 것 외에도 무효 전력을 보상하여 전압 변동 및 깜박임과 같은 전력 품질 문제를 해결할 수 있습니다. APF 제품은 완전 자동화된 제어를 위한 최첨단 제어 기술을-활용하므로 고조파 제거에 가장 선호되는 제품입니다.
제품 설명
SiC 능동형 고조파 필터는 당사가 자체 개발한-차세대 완전 디지털 고조파 제거 장치입니다.- 기존 기술과 비교하여 더 빠른 응답 시간, 컴팩트한 크기, 향상된 기능, 쉬운 설치 및 유지 관리, 간단한 시운전 등 뚜렷한 이점을 제공합니다. 전력 품질 문제를 쉽게 효과적으로 해결할 수 있습니다. APF는 고조파를 동적으로 보상하여 낮은 역률 및 전력 품질의 3상 불균형과 같은 문제를 효과적으로 해결합니다.
주 전원 장치는 차세대 반도체 부품인 SiC MOSFET을 채택하여 100kHz 이상의 스위칭 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 손실, 고효율, 최대 97%의 고조파 필터링율을 제공합니다. 고조파, 무효 전력 및 3상-불균형을 포함한 다양한 보상 모드를 지원합니다. PCBA는 완전히 밀봉되어 먼지, 응축 및 염수 분무로부터 보호합니다. 이 장치는 유연한 설치 옵션(캐비닛-마운트 또는 벽-마운트)을 제공하며 유지 관리가 간단합니다.
제품특징
데이터 시트
| 전기적 매개변수 | |
| 배선 방법 | 3상-3상-선, 3상-4상-선 |
| 작동 전압 | 380V/220V±20% |
| 작동 주파수 | 50/60Hz, ±10% |
| 제품 사양 | 30A, 50A, 75A, 100A, 150A |
| 변류기 사양 | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| 소음 | <65dB |
| 기술적 특징 | |
| 스위칭 장치 | SiC MOSFET |
| 스위칭 주파수 | >100kHz |
| 방열 방법 | 지능형 공기 냉각 |
| 방열 제어 | 적응형 팬 속도 조정 |
| 보호 기능 | 출력 과전류 보호, 출력 전류 제한 보호, 과열-온도 보호, DC 버스 과전압 보호, AC 입력 저전압 보호, AC 입력 과전압 보호, 제어 시스템 오류 보호, 주 회로 부품 손상 및 단선 보호 |
| 보상성과 | |
| 고조파 필터링 속도 | ＞97% |
| 전반적인 효율성 | 99% 이상 |
| 유효 전력 손실 | ＜1% |
| 고조파 필터링 범위 | 2차부터 50차까지의 고조파를 개별적으로 제어하고 구성할 수 있습니다. |
| 총 응답 시간 | <5ms |
| 공명 억제 | 활성 억제 |
| 디스플레이 인터페이스 | |
| 디스플레이 화면 | 7-피트 풀컬러 터치스크린 |
| 언어 | 중국어, 영어 및 사용자 정의 가능한 언어. |
| 배터리 표시 | 왜곡률, 역률, 전력, 전압, 전류 등의 데이터를 표시합니다. |
| 통신 인터페이스 및 프로토콜 유형 | RS485, TCP/IP, Modbus 프로토콜 및 4G 장거리- 데이터 전송. |
| 환경 조건 | |
| 작동 온도 | -25도 ~+50도 |
| 상대습도 | <95%, no condensation |
| 고도 | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| 기타 | |
| 보호 수준 | IP20 등급, 요청 시 다른 등급 제공 가능. |
| 설치방법 | 랙-마운트, 벽걸이-, 통합 캐비닛 구성. |
Q&A
SiC MOSFET의 기능은 무엇입니까?
더 높은 전압과 전류를 견딜 수 있는 SiC MOSFET의 능력은 더 작고 가벼운 시스템을 가능하게 합니다. 높은 효율성과 함께 이러한 작은 감소로 인해 공간 및 에너지 사용이 중요한 응용 분야에 이상적입니다.
SiC MOSFET입니까, 아니면 igbt입니까?
SiC MOSFET은 탄화 규소 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터의 약어입니다. Si IGBT는 트랜지스터의 게이트 단자에 적용된 전류에 의해 토글되는 전류-제어 장치인 반면, MOSFET은 게이트 단자에 적용된 전압에 의해 전압-제어됩니다.
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