유효전력 고조파 필터
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유효전력 고조파 필터

Active harmonic filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). APF 제품은 고조파를 동적으로 보상하는 것 외에도 무효 전력을 보상하여 전압 변동 및 깜박임과 같은 전력 품질 문제를 해결할 수 있습니다. APF 제품은 완전 자동화된 제어를 위한 최첨단 제어 기술을-활용하므로 고조파 제거에 가장 선호되는 제품입니다.

제품 설명

 

SiC 능동형 고조파 필터는 당사가 자체 개발한-차세대 완전 디지털 고조파 제거 장치입니다.- 기존 기술과 비교하여 더 빠른 응답 시간, 컴팩트한 크기, 향상된 기능, 쉬운 설치 및 유지 관리, 간단한 시운전 등 뚜렷한 이점을 제공합니다. 전력 품질 문제를 쉽게 효과적으로 해결할 수 있습니다. APF는 고조파를 동적으로 보상하여 낮은 역률 및 전력 품질의 3상 불균형과 같은 문제를 효과적으로 해결합니다.

 

주 전원 장치는 차세대 반도체 부품인 SiC MOSFET을 채택하여 100kHz 이상의 스위칭 주파수, 높은 전력 밀도, 낮은 손실, 고효율, 최대 97%의 고조파 필터링율을 제공합니다. 고조파, 무효 전력 및 3상-불균형을 포함한 다양한 보상 모드를 지원합니다. PCBA는 완전히 밀봉되어 먼지, 응축 및 염수 분무로부터 보호합니다. 이 장치는 유연한 설치 옵션(캐비닛-마운트 또는 벽-마운트)을 제공하며 유지 관리가 간단합니다.

 

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제품특징

 

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데이터 시트

 

전기적 매개변수
배선 방법 3상-3상-선, 3상-4상-선
작동 전압 380V/220V±20%
작동 주파수 50/60Hz, ±10%
제품 사양 30A, 50A, 75A, 100A, 150A
변류기 사양 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1
소음 <65dB
기술적 특징
스위칭 장치 SiC MOSFET
스위칭 주파수 >100kHz
방열 방법 지능형 공기 냉각
방열 제어 적응형 팬 속도 조정
보호 기능 출력 과전류 보호, 출력 전류 제한 보호, 과열-온도 보호, DC 버스 과전압 보호, AC 입력 저전압 보호, AC 입력 과전압 보호, 제어 시스템 오류 보호, 주 회로 부품 손상 및 단선 보호
보상성과
고조파 필터링 속도 >97%
전반적인 효율성 99% 이상
유효 전력 손실 <1%
고조파 필터링 범위 2차부터 50차까지의 고조파를 개별적으로 제어하고 구성할 수 있습니다.
총 응답 시간 <5ms
공명 억제 활성 억제
디스플레이 인터페이스
디스플레이 화면 7-피트 풀컬러 터치스크린
언어 중국어, 영어 및 사용자 정의 가능한 언어.
배터리 표시 왜곡률, 역률, 전력, 전압, 전류 등의 데이터를 표시합니다.
통신 인터페이스 및 프로토콜 유형 RS485, TCP/IP, Modbus 프로토콜 및 4G 장거리- 데이터 전송.
환경 조건
작동 온도 -25도 ~+50도
상대습도 <95%, no condensation
고도 <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters)
기타
보호 수준 IP20 등급, 요청 시 다른 등급 제공 가능.
설치방법 랙-마운트, 벽걸이-, 통합 캐비닛 구성.

 

Q&A

 

SiC MOSFET의 향상된 에너지 효율의 이점은 무엇입니까?

 

낮은 전도 손실과 높은 스위칭 효율로 인해 SiC MOSFET은 기존 IGBT보다 훨씬 더 높은 에너지 효율 비율을 갖습니다.

 

1. 향상된 시스템 효율성: SiC MOSFET의 낮은-손실 특성은 전체 시스템 효율성을 크게 향상시킵니다. 유효 전력 필터링 애플리케이션에서 이는 에너지 낭비를 줄이고 전력 활용도를 높이는 것으로 해석됩니다.

 

2. 장치 수명 연장: 손실이 적으면 열 발생도 낮아져 시스템 내 다른 구성 요소의 수명이 연장되고 시스템 안정성과 비용 효율성이 더욱 향상됩니다-.

SiC MOSFET의 장점은 무엇입니까?

이와 대조적으로 SiC MOSFET은 SiC 고유의 특성(및 넓은 밴드갭 특성)으로 인해 높은 내전압, 낮은 온{0}}저항 및 고속-스위칭 특성을 실현합니다. IGBT와 달리 장치 구조는 꼬리 전류를 생성하지 않으므로 스위칭 손실을 낮게 유지할 수 있습니다.

 

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